За словами Південнокорейських ЗМІ TheElec, SK Hynix планує ввести обладнання у свій новий Faf M15X FAF на два місяці раніше, ніж планувалося спочатку.
За даними джерел, це пояснюється сплеском замовлень клієнтів, особливо Broadcom, для його пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM).
SK Hynix також планує розширити виробничу потужність M15X з початкового плану 32000 вафель на місяць.Нова ціль виробничої потужності буде доопрацьована в наступному місяці.Джерела стверджують, що виробнича потужність може майже подвоїтися.
Фабрика M15X, розташована в Цинчжоу, спочатку планувала запровадити обладнання в грудні, але попросила своїх постачальників надати обладнання в жовтні.
Очікується, що вафельна фабрика створить 1B DRAM, який SK Hynix використовує як основну мікросхему для HBM3E.
Цей південнокорейський виробник мікросхем зберігання розширив виробничу потужність 1B DRAM на існуючих фабриках.Очікується, що до кінця року щомісячна виробнича потужність 1B DRAM досягне 178000 вафель.
Коли M15X буде випущено до кінця 2026 року, SK Hynix забезпечить щомісячну виробничу потужність 240000 вафель.
Основна причина раннього виробництва - великий обсяг замовлень від Broadcom.SK Hynix планує почати виробляти HBM для свого останнього головного клієнта в третьому кварталі.За даними джерел, очікується, що до кінця цього року Broadcom займе 30% загальної виробничої потужності HBM SK Hynix.
Минулого року SK Hynix оголосив про плани інвестувати KRW 20 трлн у будівництво M15X.
Тим часом компанія також оголосила 19 березня, що вона надала клієнтам зразки HBM4 12H.SK Hynix заявив, що HBM4 може обробляти 2 ТБ даних в секунду і має потужність 36 ГБ, виготовлену за допомогою вдосконаленої масштабної технології наповнення дна.
RFQs/замовлення (0)