Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > DMN3015LSD-13
Запит запиту
Україна
3643300Зображення DMN3015LSD-13Diodes Incorporated

DMN3015LSD-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.244
10+
$0.238
30+
$0.235
100+
$0.231
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3015LSD-13
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 12A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.2W
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMN3015LSD-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8.4A (Ta)
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Опис: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти