Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR482DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4967724Зображення SIR482DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR482DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR482DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1575pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR484DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR474DP-T1-RE3

SIR474DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR476DP-T1-GE3

SIR476DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти