Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJ459EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
6770697Зображення SQJ459EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ459EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.72
10+
$0.645
30+
$0.604
100+
$0.559
500+
$0.539
1000+
$0.528
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ459EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    83W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SQJ459EP-T1_GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4586pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    52A (Tc)
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти