Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - масиви > MSRT20060(A)D
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2364807Зображення MSRT20060(A)DGeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)D

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
25+
$56.388
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSRT20060(A)D
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 200A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    Three Tower
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    Three Tower
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Конфігурація діодів
    1 Pair Series Connection
  • Детальний опис
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 600V
  • Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод)
    200A
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Опис: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Опис: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT20060(A)

MSRT20060(A)

Опис: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200100(A)D

MSRT200100(A)D

Опис: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200140(A)

MSRT200140(A)

Опис: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

Опис: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200100(A)

MSRT200100(A)

Опис: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200120(A)

MSRT200120(A)

Опис: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200160(A)D

MSRT200160(A)D

Опис: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT15080(A)D

MSRT15080(A)D

Опис: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Опис: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Опис: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Опис: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT25060(A)

MSRT25060(A)

Опис: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Опис: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200140(A)D

MSRT200140(A)D

Опис: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Опис: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT20080(A)

MSRT20080(A)

Опис: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT200120(A)D

MSRT200120(A)D

Опис: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

Опис: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти