Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > S12KR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2368036

S12KR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$4.39
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S12KR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - пік реверсу (макс.)
    Standard, Reverse Polarity
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    12A
  • Напруга - розбивка
    DO-4
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Зворотний час відновлення (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Опір @ Якщо, Ф.
    -
  • Поляризація
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Інші імена
    S12KRGN
  • Тип монтажу
    Chassis, Stud Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Номер деталі виробника
    S12KR
  • Розгорнутий опис
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Конфігурація діодів
    10µA @ 50V
  • Опис
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод)
    800V
  • Ємність @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
S12M

S12M

Опис: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12KC V7G

S12KC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JR

S12JR

Опис: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12MC R7G

S12MC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12ME1FY

S12ME1FY

Опис: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
S12MC V7G

S12MC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12MR

S12MR

Опис: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12KC R7G

S12KC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12KC V6G

S12KC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12MD3

S12MD3

Опис: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
S12MC M6G

S12MC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12K

S12K

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12MC V6G

S12MC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12KC M6G

S12KC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти