Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > MP6M12TCR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3626623Зображення MP6M12TCRLAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MP6M12TCR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Пакет пристрою постачальника
    MPT6
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Потужність - Макс
    2W
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Інші імена
    MP6M12TCRDKR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Номер базової частини
    *M12
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91A

MP6KE91A

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82A

MP6KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти