Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > UMF8NTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5803566

UMF8NTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.113
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    UMF8NTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V, 15V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Тип транзистора
    1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
  • Пакет пристрою постачальника
    UMT6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    47 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 15V 100mA, 500mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA, 500mA
UMF28NTR

UMF28NTR

Опис:

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMF23NTR

UMF23NTR

Опис: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMF5NTR

UMF5NTR

Опис:

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMFT121DC

UMFT121DC

Опис: BOARD EVAL FOR FT121

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMFT200XD-WE

UMFT200XD-WE

Опис: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMFT120DC

UMFT120DC

Опис: BOARD EVAL FOR FT120

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMF24NTR

UMF24NTR

Опис: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMF1V6R8MDD1TE

UMF1V6R8MDD1TE

Опис: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Виробники: Nichicon
В наявності
UMF4NTR

UMF4NTR

Опис: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMFT122DC

UMFT122DC

Опис: BOARD EVAL FOR FT122

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMF1V6R8MDD1TP

UMF1V6R8MDD1TP

Опис: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Виробники: Nichicon
В наявності
UMFT12XEV

UMFT12XEV

Опис: MAINBOARD FOR F12X

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMF21NTR

UMF21NTR

Опис: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMFT201XA-02

UMFT201XA-02

Опис: MOD USB I2C DEV FT201X

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMFT200XD-NC

UMFT200XD-NC

Опис: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMF9NTR

UMF9NTR

Опис: TRANS NPN/N-CH 12V 500MA SOT-363

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMFT200XD-01

UMFT200XD-01

Опис: BOARD BREAKOUT USB I2C FT200X

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності
UMF32NTR

UMF32NTR

Опис: TRANS PNP DUAL 50V UMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMF6NTR

UMF6NTR

Опис: TRANS PNP/N-CH 12V 500MA SOT-363

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
UMFT201XA-01

UMFT201XA-01

Опис: MOD USB I2C DEV FT201X

Виробники: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти