Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT10M07JVR
Запит запиту
Україна
3924033

APT10M07JVR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT10M07JVR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    ISOTOP®
  • Серія
    POWER MOS V®
  • Розсіювання живлення (макс.)
    700W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1050nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    225A (Tc)
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Опис: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Опис: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT102GA60L

APT102GA60L

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Опис: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Опис: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Опис: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100S20BG

APT100S20BG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Опис: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100M50J

APT100M50J

Опис: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Опис: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Опис: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти