Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - Модулі > APT35GT120JU2
Запит запиту
Україна
1360442Зображення APT35GT120JU2Microsemi

APT35GT120JU2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$19.758
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT35GT120JU2
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    260W
  • Пакет / Корпус
    ISOTOP
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC термістор
    No
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Cies) @ Vce
    2.53nF @ 25V
  • Вхідний
    Standard
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Детальний опис
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    5mA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    55A
  • Конфігурація
    Single
APT37F50B

APT37F50B

Опис: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Опис: IGBT 900V 63A 290W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37M100L

APT37M100L

Опис: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37F50S

APT37F50S

Опис: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36GA60B

APT36GA60B

Опис: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Опис: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37M100B2

APT37M100B2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Опис: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120J

APT35GP120J

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35SM70S

APT35SM70S

Опис: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Опис: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Опис: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GA90B

APT35GA90B

Опис: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Опис: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35SM70B

APT35SM70B

Опис: MOSFET N-CH 700V TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти