Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT6M100K
Запит запиту
Україна
5038407

APT6M100K

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT6M100K
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220 [K]
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    225W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Інші імена
    APT6M100KMI
    APT6M100KMI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1410pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    1000V
  • Детальний опис
    N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)
APT68GA60B

APT68GA60B

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Опис: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70SM70J

APT70SM70J

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT65GP60J

APT65GP60J

Опис: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR65B

APT70GR65B

Опис: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70SM70B

APT70SM70B

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120L

APT70GR120L

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66F60L

APT66F60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Опис: IGBT 600V 198A 833W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66F60B2

APT66F60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70SM70S

APT70SM70S

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120J

APT70GR120J

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Опис: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66M60L

APT66M60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Опис: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66M60B2

APT66M60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти