Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > JAN1N6160AUS
RFQs/замовлення (0)
Україна
7063748

JAN1N6160AUS

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N6160AUS
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    53.2V
  • Напруга - розрив
    1
  • Напруга - розподіл (мін)
    42.6V
  • Напруга - розбивка
    C, SQ-MELF
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    19.5A
  • Поляризація
    SQ-MELF, C
  • Інші імена
    1086-19718
    1086-19718-MIL
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    JAN1N6160AUS
  • Опис
    TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    77V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Опис: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6158AUS

JAN1N6158AUS

Опис: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Опис: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Опис: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Опис: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N6158

JAN1N6158

Опис: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6158US

JAN1N6158US

Опис: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6160

JAN1N6160

Опис: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Опис: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Опис: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Опис: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N6158A

JAN1N6158A

Опис: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Опис: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Опис: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Опис: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6161

JAN1N6161

Опис: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6162

JAN1N6162

Опис: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6163

JAN1N6163

Опис: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Опис: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N6159

JAN1N6159

Опис: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти