Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE14AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1998515

MXLSMCGLCE14AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE14AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    15.6V
  • Напруга - розподіл (мін)
    14V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    65A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-11972
    1086-11972-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE14AE3
  • Опис
    TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    23.2V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No
MXLSMCGLCE130AE3

MXLSMCGLCE130AE3

Опис: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE150A

MXLSMCGLCE150A

Опис: TVS DIODE 150VWM 243VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE12A

MXLSMCGLCE12A

Опис: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE13AE3

MXLSMCGLCE13AE3

Опис: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE150AE3

MXLSMCGLCE150AE3

Опис: TVS DIODE 150VWM 243VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE12AE3

MXLSMCGLCE12AE3

Опис: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE15AE3

MXLSMCGLCE15AE3

Опис: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE160AE3

MXLSMCGLCE160AE3

Опис: TVS DIODE 160VWM 259VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE160A

MXLSMCGLCE160A

Опис: TVS DIODE 160VWM 259VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE170A

MXLSMCGLCE170A

Опис: TVS DIODE 170VWM 275VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE11AE3

MXLSMCGLCE11AE3

Опис: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE120A

MXLSMCGLCE120A

Опис: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE13A

MXLSMCGLCE13A

Опис: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE130A

MXLSMCGLCE130A

Опис: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE15A

MXLSMCGLCE15A

Опис: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE170AE3

MXLSMCGLCE170AE3

Опис: TVS DIODE 170VWM 275VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE14A

MXLSMCGLCE14A

Опис: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE16AE3

MXLSMCGLCE16AE3

Опис: TVS DIODE 16VWM 26VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE120AE3

MXLSMCGLCE120AE3

Опис: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE16A

MXLSMCGLCE16A

Опис: TVS DIODE 16VWM 26VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти