Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE26AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
5812111

MXLSMCGLCE26AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE26AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    28.9V
  • Напруга - розподіл (мін)
    26V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    36A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-11994
    1086-11994-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE26AE3
  • Опис
    TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    42.1V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No
MXLSMCGLCE40AE3

MXLSMCGLCE40AE3

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE17AE3

MXLSMCGLCE17AE3

Опис: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE18A

MXLSMCGLCE18A

Опис: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE22A

MXLSMCGLCE22A

Опис: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE20AE3

MXLSMCGLCE20AE3

Опис: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE33AE3

MXLSMCGLCE33AE3

Опис: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE26A

MXLSMCGLCE26A

Опис: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE40A

MXLSMCGLCE40A

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE30A

MXLSMCGLCE30A

Опис: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE28AE3

MXLSMCGLCE28AE3

Опис: TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE22AE3

MXLSMCGLCE22AE3

Опис: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE24AE3

MXLSMCGLCE24AE3

Опис: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE24A

MXLSMCGLCE24A

Опис: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE28A

MXLSMCGLCE28A

Опис: TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE30AE3

MXLSMCGLCE30AE3

Опис: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE36AE3

MXLSMCGLCE36AE3

Опис: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE36A

MXLSMCGLCE36A

Опис: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE33A

MXLSMCGLCE33A

Опис: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE20A

MXLSMCGLCE20A

Опис: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE18AE3

MXLSMCGLCE18AE3

Опис: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти