Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE60AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
3348359

MXLSMCGLCE60AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE60AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    66.7V
  • Напруга - розподіл (мін)
    60V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    15.5A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-12020
    1086-12020-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE60AE3
  • Опис
    TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    96.8V
  • Потужність @ Частота
    90pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No
MXLSMCGLCE64AE3

MXLSMCGLCE64AE3

Опис: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE60A

MXLSMCGLCE60A

Опис: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE48AE3

MXLSMCGLCE48AE3

Опис: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE6.5AE3

MXLSMCGLCE6.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE7.0A

MXLSMCGLCE7.0A

Опис: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE58A

MXLSMCGLCE58A

Опис: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE58AE3

MXLSMCGLCE58AE3

Опис: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE51AE3

MXLSMCGLCE51AE3

Опис: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE7.0AE3

MXLSMCGLCE7.0AE3

Опис: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Опис: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE7.5AE3

MXLSMCGLCE7.5AE3

Опис: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE7.5A

MXLSMCGLCE7.5A

Опис: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE6.5A

MXLSMCGLCE6.5A

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE54A

MXLSMCGLCE54A

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE51A

MXLSMCGLCE51A

Опис: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE64A

MXLSMCGLCE64A

Опис: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE70A

MXLSMCGLCE70A

Опис: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE54AE3

MXLSMCGLCE54AE3

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти