Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE9.0AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
5555607

MXLSMCGLCE9.0AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE9.0AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    10V
  • Напруга - розподіл (мін)
    9V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    97A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-12038
    1086-12038-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE9.0AE3
  • Опис
    TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    15.4V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No
MXLSMCGLCE8.0A

MXLSMCGLCE8.0A

Опис: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Опис: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE80AE3

MXLSMCGLCE80AE3

Опис: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCJ10CAE3

MXLSMCJ10CAE3

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCGLCE8.0AE3

MXLSMCGLCE8.0AE3

Опис: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Опис: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Опис: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCJ10CA

MXLSMCJ10CA

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCJ100CAE3

MXLSMCJ100CAE3

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCJ10AE3

MXLSMCJ10AE3

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCJ100AE3

MXLSMCJ100AE3

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCJ100CA

MXLSMCJ100CA

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCGLCE8.5AE3

MXLSMCGLCE8.5AE3

Опис: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Опис: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Опис: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCJ10A

MXLSMCJ10A

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Опис: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти