Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXP4KE8.2AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
175897Зображення MXP4KE8.2AE3Microsemi Corporation

MXP4KE8.2AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$20.787
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXP4KE8.2AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    7.79V
  • Напруга - розподіл (мін)
    7.02V
  • Напруга - розбивка
    DO-204AL (DO-41)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    400W
  • Потужність - пік імпульсу
    33A
  • Поляризація
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Інші імена
    1086-12832
    1086-12832-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXP4KE8.2AE3
  • Опис
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    12.1V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No
MXP4KE7.5AE3

MXP4KE7.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE75CAE3

MXP4KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE75A

MXP4KE75A

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE82CAE3

MXP4KE82CAE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE82A

MXP4KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE9.1CAE3

MXP4KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE82CA

MXP4KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE8.2CAE3

MXP4KE8.2CAE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE75AE3

MXP4KE75AE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE9.1CA

MXP4KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE75CA

MXP4KE75CA

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE82AE3

MXP4KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE7.5CAE3

MXP4KE7.5CAE3

Опис: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE8.2CA

MXP4KE8.2CA

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE9.1AE3

MXP4KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE9.1A

MXP4KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE8.2A

MXP4KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE7.5CA

MXP4KE7.5CA

Опис: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE7.5A

MXP4KE7.5A

Опис: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MXP4KE68CAE3

MXP4KE68CAE3

Опис: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти