Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - мости випрямлячі > KBP102G C2
RFQs/замовлення (0)
Україна
2652011

KBP102G C2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    KBP102G C2
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - пік реверсу (макс.)
    100V
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1V @ 1A
  • Технологія
    Standard
  • Пакет пристрою постачальника
    KBP
  • Серія
    -
  • Пакет / Корпус
    4-SIP, KBP
  • Інші імена
    KBP102G C2-ND
    KBP102GC2
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Single Phase
  • Детальний опис
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole KBP
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 100V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
KBP08M-E4/45

KBP08M-E4/45

Опис: DIODE 1.5A 800V KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
KBP08G

KBP08G

Опис: RECT BRIDGE GPP 800V 1.5A KBP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
KBP106G C2

KBP106G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP101G C2G

KBP101G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP105G C2

KBP105G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP104G C2

KBP104G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP103G C2G

KBP103G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP103G C2

KBP103G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP107G C2

KBP107G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP08M-6E4/51

KBP08M-6E4/51

Опис: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
KBP102G C2G

KBP102G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP104G C2G

KBP104G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP08M

KBP08M

Опис: IC BRIDGE RECT 1.5A 800V KBPM

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
KBP08ML-6747E4/51

KBP08ML-6747E4/51

Опис: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
KBP08M-E4/51

KBP08M-E4/51

Опис: DIODE 1.5A 800V KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

Опис: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
KBP101G C2

KBP101G C2

Опис: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP105G C2G

KBP105G C2G

Опис: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
KBP08M-9E4/51

KBP08M-9E4/51

Опис: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти