Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > S12JC R7G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2435771Зображення S12JC R7GTSC (Taiwan Semiconductor)

S12JC R7G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.58
10+
$0.492
100+
$0.369
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S12JC R7G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 12A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AB (SMC)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Інші імена
    S12JC R7GCT
    S12JC R7GCT-ND
    S12JCR7GCT
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    12A
  • Ємність @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12GC V6G

S12GC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JC M6G

S12JC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12GR

S12GR

Опис: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12JR

S12JR

Опис: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12KC M6G

S12KC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JC V6G

S12JC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12J

S12J

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12KC V7G

S12KC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12G

S12G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12KC V6G

S12KC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12K

S12K

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
S12GC V7G

S12GC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12GC R7G

S12GC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12KC R7G

S12KC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12GC M6G

S12GC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
S12JC V7G

S12JC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти