Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви > HN1C03F-B(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2136494Зображення HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    HN1C03F-B(TE85L,F)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    20V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    100mV @ 3mA, 30mA
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SM6
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    300mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    HN1C03F-B(TE85LF)CT
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    30MHz
  • Детальний опис
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    350 @ 4mA, 2V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    300mA
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Опис: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Опис: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Опис:

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D04FUTE85LF

HN1D04FUTE85LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти