Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1102CT(TPL3)
RFQs/замовлення (0)
Україна
5291297Зображення RN1102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1102CT(TPL3)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    20V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    CST3
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    10 kOhms
  • Потужність - Макс
    50mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-101, SOT-883
  • Інші імена
    RN1102CT(TPL3)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    50mA
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Опис:

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Опис: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

Опис: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Опис: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Опис: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти