Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1111ACT(TPL3)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5014231Зображення RN1111ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1111ACT(TPL3)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    CST3
  • Серія
    -
  • Резистор - база (R1)
    10 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-101, SOT-883
  • Інші імена
    RN1111ACT(TPL3)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    80mA
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти