Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2103ACT(TPL3)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4812030Зображення RN2103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.052
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2103ACT(TPL3)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    CST3
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    22 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    22 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-101, SOT-883
  • Інші імена
    RN2103ACT(TPL3)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    80mA
RN2102,LF(CT

RN2102,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104MFV,L3F

RN2104MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2101CT(TPL3)

RN2101CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN204-1.5-02-1M6

RN204-1.5-02-1M6

Опис: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN2101ACT(TPL3)

RN2101ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2102ACT(TPL3)

RN2102ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN204-2-02-1M1

RN204-2-02-1M1

Опис: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105CT(TPL3)

RN2105CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2101,LF(CT

RN2101,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105ACT(TPL3)

RN2105ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN21-I/RM

RN21-I/RM

Опис: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти