Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2108ACT(TPL3)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2383648Зображення RN2108ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2108ACT(TPL3)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    CST3
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    22 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-101, SOT-883
  • Інші імена
    RN2108ACT(TPL3)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    80mA
RN2107,LF(CB

RN2107,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105CT(TPL3)

RN2105CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти