Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - Модулі > GSID080A120B1A5
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1215537

GSID080A120B1A5

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10+
$64.20
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GSID080A120B1A5
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    SILICON IGBT MODULES
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • Пакет пристрою постачальника
    Module
  • Серія
    Amp+™
  • Потужність - Макс
    1710W
  • Пакет / Корпус
    Module
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C
  • NTC термістор
    Yes
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Cies) @ Vce
    7nF @ 25V
  • Вхідний
    Standard
  • Тип IGBT
    -
  • Детальний опис
    IGBT Module Single 1200V 160A 1710W Chassis Mount Module
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    1mA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    160A
  • Конфігурація
    Single
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 170A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

Опис: BRIDGE RECT 200V 2.8A GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 285A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45

Опис: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Опис: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Опис: DIODE 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 335A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Опис: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB680N-M3/45

GSIB680N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A20N-M3/45

GSIB6A20N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти