Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - Модулі > GSID100A120S5C1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
791966Зображення GSID100A120S5C1Global Power Technologies Group

GSID100A120S5C1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$125.66
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GSID100A120S5C1
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT MODULE 1200V 170A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Пакет пристрою постачальника
    Module
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    650W
  • Пакет / Корпус
    Module
  • Інші імена
    1560-1229
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC термістор
    Yes
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Cies) @ Vce
    13.7nF @ 25V
  • Вхідний
    Standard
  • Тип IGBT
    -
  • Детальний опис
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 170A 650W Chassis Mount Module
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    1mA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    170A
  • Конфігурація
    Three Phase Inverter
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Опис: DIODE 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Опис: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB680N-M3/45

GSIB680N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Опис: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

Опис: BRIDGE RECT 200V 2.8A GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSIB6A20N-M3/45

GSIB6A20N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 285A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 335A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти