Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MP6KE82CAE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
6805890

MP6KE82CAE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MP6KE82CAE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Модель ECAD
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    77.9V
  • Напруга - розрив
    1
  • Напруга - розподіл (мін)
    70.1V
  • Напруга - розбивка
    T-18
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    600W
  • Потужність - пік імпульсу
    5.3A
  • Поляризація
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-7145
    1086-7145-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MP6KE82CAE3
  • Опис
    TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    113V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91A

MP6KE91A

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82A

MP6KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE75CA

MP6KE75CA

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE75AE3

MP6KE75AE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти