Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBJ2K4.0E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1376100Зображення MSMBJ2K4.0E3Microsemi Corporation

MSMBJ2K4.0E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBJ2K4.0E3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    5V
  • Напруга - розподіл (мін)
    4V
  • Напруга - розбивка
    SMBJ (DO-214AA)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    2000W (2kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    10A (8/20µs)
  • Поляризація
    DO-214AA, SMB
  • Інші імена
    1086-8084
    1086-8084-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MSMBJ2K4.0E3
  • Опис
    TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    6.3V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ28AE3

MSMBJ28AE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

Опис: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти