Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBJ30A
Запит запиту
Україна
170796Зображення MSMBJ30AMicrosemi

MSMBJ30A

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.01
10+
$1.817
25+
$1.622
100+
$1.46
250+
$1.298
500+
$1.136
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBJ30A
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    30V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    48.4V
  • Напруга - розподіл (мін)
    33.3V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    SMBJ (DO-214AA)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Інші імена
    1086-8089
    1086-8089-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    13 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    12.4A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33A/TR

MSMBJ33A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33A

MSMBJ33A

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33AE3

MSMBJ33AE3

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ33CA

MSMBJ33CA

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33AE3/TR

MSMBJ33AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності

Review (1)

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти